以SiC为代表的第3代半导体器件具有优越的性能,与Si材料半导体器件相比,在耐压等级、工作温度、开关损耗各方面均有提升,能够明显......

实验并研究了采用金属栅工艺的全耗尽SOI MOS器件。采用LDD结构，以减小热载流子效应，防止漏击穿；采用突起的源漏区，以增加源漏区的厚度......

研制了一种用于多狭缝条纹相机的条纹变像管快门脉冲产生器．以绝缘栅场效应管作为开关，采用截波法实现，克服了以雪崩晶体管为开关的储......

宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation,EPC）是氮化镓（GaN）功率晶体管先行者。EPC称,其率先推出的商用增强型（enhan......